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juin
14

Remplacement du silicium par le graphène pour les nanocircuits

nanocircuit de graphèneLes scientifiques ont fait une percée vers la création de nanocircuits de graphène, largement considérés comme le candidat le plus prometteur pour remplacer le silicium comme élément de base des transistors. Ils ont mis au point un processus simple et rapide basé sur la nanolithographie thermochimique (TCNL) pour créer des nanofils. Les propriétés électroniques de l’oxyde de graphène à l’échelle nanométrique sont modifiées par ce procédé et permet de passer d’un matériau isolant vers un matériau conducteur.

La technique fonctionne avec de multiples formes de graphène et est en passe de devenir une découverte importante pour le développement de l’électronique du graphène. La recherche est publiée dans la revue Science. Les scientifiques qui travaillent avec les nanocircuits sont enthousiastes par rapport au graphène parce que les électrons rencontrent moins de résistance quand ils voyagent le long de ce matériau comparativement au silicium. De plus, les transistors au silicium d’aujourd’hui sont presque aussi petits que permis par les lois de la physique. Le graphène présente aussi un avantage en raison de son épaisseur – c’est une feuille de carbone d’un seul atome d’épaisseur. Bien que la nanoélectronique basée sur le graphène pourrait être plus rapide et consommer moins de puissance que le silicium, on ne savait pas comment produire du graphène nanostructuré sur une méthode reproductible ou évolutive. C’était jusqu’à présent.

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