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juin
12

Spectroscopie Raman comme outil de caractérisation du Graphene

grapheneLe graphène a attiré beaucoup d’attention en raison de ses propriétés électroniques uniques qui ont été salué par le Prix Nobel en 2010. Le graphène promet de devenir un matériau de choix pour la prochaine génération de cellules photovoltaïques, les dispositifs à effet de champ (FED), l’électronique flexible, des matériaux composites avancés, les biocapteurs et les membranes de pointe. La spectroscopie Raman est une méthode simple et non destructive qui a joué un rôle essentiel dans la caractérisation des matériaux de graphène.

Materials Today en collaboration avec Thermo Scientific offrent un cours webinaire de 45 minutes pour introduire comment la spectroscopie Raman peut aider à explorer les propriétés des matériaux de graphène.
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janv.
19

Symposium « Carbon Nanotubes and Graphene »

EUROMAT2011Un symposium « Carbon Nanotubes and Graphene » sera organisé dans le cadre de EUROMAT2011 à Montpellier en France du 12 au 15 septembre 2011. Ce symposium se concentrera principalement sur les progrès et les sujets d’actualité liés à la production et la transformation à grande échelle, les applications et les questions industrielles. Ceci comprend en particulier :

  • Synthèse et méthodes de sélection
  • Propriétés électroniques, optiques et mécanique des nanotubes de carbone, du graphène et des dispositifs connexes
  • Fonctionnalisation, dispersion, transformation
  • Métrologie et la normalisation
  • Science des matériaux et composites
  • Autres applications et questions industrielles
oct.
15

La découverte du graphène est récompensée par le prix Nobel 2010 de physique

Deux scientifiques de l’Université de Manchester ont reçu le prix Nobel 2010 de physique pour leurs recherches pionnières sur le graphène, un film de carbone d’épaisseur atomique dont la force, la flexibilité et la conductivité électrique ont ouvert de nouveaux horizons pour la recherche en physique pure ainsi que de nouvelles applications de haute technologie.

André Geim et son collègue (un ancien assistant postdoctoral) Konstantin Novoselov ont produit pour la première fois du graphène en 2004 en arrachement à plusieurs reprises des bandes de graphite avec du ruban adhésif pour en isoler un seul plan atomique. Ils ont analysé sa force, sa transparence, et ses propriétés conductrices dans un article publié dans Science la même année.

C’est un Nobel digne de mention pour la simple raison que le graphène est l’un des matériaux les plus prometteurs et polyvalents jamais découvert. Il pourrait détenir la clé de tout, des super ordinateurs de petite taille à des batteries de grande capacité. Les propriétés du graphène sont attrayantes pour les scientifiques et les ingénieurs électriques pour une foule de raisons. Par exemple, il pourrait être possible de construire des circuits qui sont plus petits et plus rapides que ce qui peut être construit avec le silicium.

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août
16

Conférence Graphene Brazil 2010

La conférence « Graphene Brazil 2010 » aura lieu du 14 au 17 décembre 2010 à Belo Horizonte, Minas Gerais, Brésil. Le but de cette conférence est de regrouper les leaders de la science du graphène afin qu’ils évaluent les tendances actuelles et futures de ce domaine en plein essor. La conférence portera sur les progrès réalisés au frontières de la recherche fondamentale et appliquée. Elle permettra également aux participants d’échanger des idées et les résultats de leurs derniers travaux dans une atmosphère informelle.

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juin
14

Remplacement du silicium par le graphène pour les nanocircuits

nanocircuit de graphèneLes scientifiques ont fait une percée vers la création de nanocircuits de graphène, largement considérés comme le candidat le plus prometteur pour remplacer le silicium comme élément de base des transistors. Ils ont mis au point un processus simple et rapide basé sur la nanolithographie thermochimique (TCNL) pour créer des nanofils. Les propriétés électroniques de l’oxyde de graphène à l’échelle nanométrique sont modifiées par ce procédé et permet de passer d’un matériau isolant vers un matériau conducteur.

La technique fonctionne avec de multiples formes de graphène et est en passe de devenir une découverte importante pour le développement de l’électronique du graphène. La recherche est publiée dans la revue Science. Les scientifiques qui travaillent avec les nanocircuits sont enthousiastes par rapport au graphène parce que les électrons rencontrent moins de résistance quand ils voyagent le long de ce matériau comparativement au silicium. De plus, les transistors au silicium d’aujourd’hui sont presque aussi petits que permis par les lois de la physique. Le graphène présente aussi un avantage en raison de son épaisseur – c’est une feuille de carbone d’un seul atome d’épaisseur. Bien que la nanoélectronique basée sur le graphène pourrait être plus rapide et consommer moins de puissance que le silicium, on ne savait pas comment produire du graphène nanostructuré sur une méthode reproductible ou évolutive. C’était jusqu’à présent.

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mai
12

Graphene School 2010

corsicaeL’émergence récente du graphène a généré un enthousiasme dans le monde scientifique en raison des propriétés extraordinaires qui sont attendues de ce nouveau matériau et de ses dérivés. Sa simplicité structurale et chimique fait du graphène un systèmes très pratique pour la recherche fondamentale et pour le développement des sciences à l’échelle nanométrique. D’autre part, les nombreuses variations possibles des nano-objets à base de graphène permettent une variabilité unique des propriétés (transport, mécanique, optique, chimique …) et un nombre anormalement élevé d’applications potentielles, allant de l’énergie à la nanoélectronique en passant par l’industrie chimique. Le graphène est également idéal pour les chimistes qui peuvent modifier ses propriétés par fonctionnalisation, greffage, adsorption et dopage. La recherche sur le graphène exige clairement la participation des scientifiques dans les domaines liés à la physique, la chimie et les sciences des matériaux.

Cet intérêt croissant, déclenchée par les nombreuses applications potentielles du graphène, motive la création d’une école interdisciplinaire sur le graphène. L’école s’adresse aux étudiants du doctorat, post-doctorants ainsi qu’aux jeunes chercheurs en première instance. Graphene School 2010 aura lieu à Cargèse (France) du 12 au 22 octobre 2010 à l’Institut d’Etudes Scientifiques de Cargèse.

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mai
6

Analyse du graphène par interférométrie basée sur l’effet moiré

moire patternsÀ l’aide d’une série d’expériences novatrices, des scientifiques aux États-Unis sont parvenus à développer une nouvelle méthode d’analyse de la façon dont les feuilles de graphène sont empilés les unes sur les autres. La technique est également approprié pour déterminer quelles zones du composé sont soumises à la plupart des contraintes, lorsque le matériau est placé à l’intérieur de structures plus complexes. Tout cela peut être déduit à l’aide des motifs de moiré, des motifs d’interférences qui apparaissent à l’échelle atomique lorsque deux couches superposées d’atomes sont décalées légèrement (image courtoisie de la NIST).

L’équipe de recherche qui a mené les travaux est composée de physiciens des Etats-Unis en provenance du National Institutes of Standards and Technology (NIST) et du Georgia Institute of Technology (Georgia Tech). Les experts disent que les motifs de moiré peuvent être également utilisés dans l’analyse de structures composées de plus de deux couches d’atome. Ils ajoutent que l’utilisation de l’interférométrie basée sur l’effet moiré peut aider les scientifiques à déterminer l’orientation de rotation des feuilles de graphène utilisés dans une variété d’applications technologiques. Leur travail est publié dans le journal Physical Review B .

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mars
3

Un nouvel hybride du graphène

hybride graphèneDes chercheurs de l’Université Rice ont trouvé une façon d’assembler le graphène et le nitrure de bore hexagonal (h-BN) en une courtepointe bi-dimensionnelle offrant de nouvelles voies d’exploration pour les scientifiques des matériaux. Cette technique a des implications pour l’application de matériaux de graphène en microélectronique permettant ainsi de surpasser les limites déterminées par la loi de Moore pour le matériaux à base de silicium.

Les couches de h-BN d’un seul atome d’épaisseur ont la même structure que le graphène, mais ont des propriétés électriques opposées : h-BN est un isolant alors que le graphène, couche d’un seul atome d’épaisseur du graphite, est très conducteur. La capacité de les assembler en un réseau unique pourrait conduire à une riche variété de structures 2-D avec des propriétés électriques allant de conducteur métallique à isolant en passant par semi-conducteur.

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